미끄럼 방지 코팅은 흑색 SiC 분말 흑색 탄화규소를 사용합니다. 탄화
규소는 약 250개의 결정 형태로 존재합니다. SiC의 다형성은 다형이라고 하는 유사한 결정 구조의 큰 계열이 특징입니다. 그것들은 2차원에서 동일하고 3차원에서 다른 동일한 화합물의 변형입니다. 따라서 특정 순서로 쌓인 레이어로 볼 수 있습니다.
Alpha silicon carbide (α-SiC) is the most commonly encountered polymorph; it is formed at temperatures greater than 1700 °C and has a hexagonal crystal structure (similar to Wurtzite). The beta modification (β-SiC), with a zinc blende crystal structure (similar to diamond), is formed at temperatures below 1700 °C. Until recently, the beta form has had relatively few commercial uses, although there is now increasing interest in its use as a support for heterogeneous catalysts, owing to its higher surface area compared to the alpha form.
Specification of silicon carbide
| Particle Size | Particle Distribution (µm) | |||
| Maximum Particle Size | Particle Size at d03 | Particle Size at d50 | Particle Size at d94 | |
| # 240 | ≤ 127 | ≤ 103 | 58.6 ± 3.0 | ≥ 40.0 |
| # 280 | ≤ 112 | ≤ 87.0 | 49.4 ± 3.0 | ≥ 33.0 |
| # 320 | ≤ 98.0 | ≤ 74.0 | 41.1 ± 2.5 | ≥ 27.0 |
| # 360 | ≤ 86.0 | ≤ 66.0 | 36.1 ± 2.0 | ≥ 23.0 |
| # 400 | ≤ 75.0 | ≤ 58.0 | 30.9 ± 2.0 | ≥ 20.0 |
| # 500 | ≤ 63.0 | ≤ 50.0 | 26.4 ± 2.0 | ≥ 16.0 |
| # 600 | ≤ 53.0 | ≤ 43.0 | 21.1 ± 1.5 | ≥ 13.0 |
| # 700 | ≤ 45.0 | ≤ 37.0 | 17.9 ± 1.3 | ≥ 11.0 |
| # 800 | ≤ 38.0 | ≤ 31.0 | 14.7 ± 1.0 | ≥ 9.00 |
| # 1000 | ≤ 32.0 | ≤ 27.0 | 11.9 ± 1.0 | ≥ 7.00 |
| # 1200 | ≤ 27.0 | ≤ 23.0 | 9.90 ± 0.80 | ≥ 5.50 |
| # 1500 | ≤ 23.0 | ≤ 20.0 | 8.40 ± 0.60 | ≥ 4.50 |
| # 2000 | ≤ 19.0 | ≤ 17.0 | 6.90 ± 0.60 | ≥ 4.00 |
| # 2500 | ≤ 16.0 | ≤ 14.0 | 5.60 ± 0.50 | ≥ 3.00 |
| # 3000 | ≤ 13.0 | ≤ 11.0 | 4.00 ± 0.50 | ≥ 2.00 |
| # 4000 | ≤ 11.0 | ≤ 8.00 | 3.00 ± 0.40 | ≥ 1.30 |
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